特許
J-GLOBAL ID：200903071910666304
磁気デイスク用基板およびその製造方法ならびに前記基板を用いた磁気デイスク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-220367
公開番号（公開出願番号）：特開平5-314456
出願日： 1992年08月19日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【構成】基板上に、順次、下地膜、磁性膜および保護膜を形成して成る磁気デイスクであって、上記基板は、表面に微小な突起を形成したガラス基板から成り、当該突起は、突起高さが50〜1000Å、突起幅が0.01〜1μm、突起密度が10〜1000個/100μm2 の範囲で形成され、かつ、表面粗さの中心線山高さ(RP )と最大高さ(Rmax )の比RP /Rmax が60%以上である。【効果】上記の磁気デイスクは、その基板表面に突起を適度に形成しているため、ヘッドと磁気デイスク間の摩擦力および吸着力が軽減され、耐CSS特性および耐ヘッドスティック性が改善され、しかも、基板表面に形成された微小な凹部の深さが浅いため、S/N比に悪影響を及ぼさない。
請求項（抜粋）：
ガラス基板から成る磁気デイスク用基板であって、表面に微小な突起を形成して成り、当該突起は、突起高さが50〜1000Å、突起幅が0.01〜1μm、突起密度が10〜1000個/100μm2 の範囲で形成され、かつ、表面粗さの中心線山高さ(RP )と最大高さ(Rmax )の比RP /Rmax が60%以上であることを特徴とする磁気デイスク用基板。
IPC (3件)：
G11B 5/66
, G11B 5/704
, G11B 5/84
