特許
J-GLOBAL ID:200903071910809911
半導体装置及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-110194
公開番号(公開出願番号):特開2006-294701
出願日: 2005年04月06日
公開日(公表日): 2006年10月26日
要約:
【課題】 本発明は、小型化を図ると共に、生産性を向上させることのできる半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 モールド樹脂33上に樹脂層35を形成し、樹脂層35上にグラウンド端子17と電気的に接続される金属層38を設け、金属層38により外部からの電磁波を遮断する。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
基板と、該基板に設けられたグラウンド端子と、該基板に実装された電子部品とを備えた半導体装置において、
前記グラウンド端子が露出された状態で前記電子部品を覆うモールド樹脂と、
前記モールド樹脂上に設けられた樹脂層と、
前記樹脂層上に設けられた金属層と、
前記金属層とグラウンド端子との間を電気的に接続する導電部材とを設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L23/28 F
, H01L33/00 N
Fターム (9件):
4M109AA02
, 4M109BA03
, 4M109EE07
, 5F041AA03
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA37
, 5F041DA12
, 5F041DA45
引用特許:
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