特許

J-GLOBAL ID：200903071915396399

半導体装置製造方法および製造装置

発明者： 渡▲辺▼ 悦子
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-328547
公開番号（公開出願番号）：特開平11-158621
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月15日
要約：

【要約】【課題】 イオン化スパッタ法により半導体装置を製造する際、基板外周部の膜厚の薄膜化を防止する。【解決手段】 ターゲット10と基板20との間に誘導コイル5を設けてプラズマを発生させ、ターゲットから放出されるスパッタ粒子を(+)イオン化する。基板外側周辺を囲むバイアス電極7を設けて高周波電源により負のバイアスを印加する。バイアス電極7とステージ部3とに印加するバイアスのタイミングをずらすことにより基板に堆積する膜厚の均等化をはかる。バイアス電極7は上下に可動とする。

請求項（抜粋）：

スパッタ法により半導体基板上に薄膜を形成する半導体装置製造装置であって、ターゲットからスパッタ粒子を放出させるための電源と、ターゲットに対向する位置に設けられ、前記半導体基板を載置するためのステージ部と、該ステージ部に負のバイアスを印加するための電源と、前記ターゲットと前記ステージ部との間の空間に設けられた誘導コイルと、該誘導コイルに高周波を印加するための高周波電源と、前記半導体基板の外側周辺を囲んで配設されたバイアス電極部と、該バイアス電極部に負のバイアスを印加するための電源とを有する、半導体装置製造装置。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

C23C 14/34 T ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/31 D

引用特許：

審査官引用 (1件)

• スパッタリング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-318115   出願人：日本電信電話株式会社