特許
J-GLOBAL ID：200903071915940560
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 英彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-045510
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254595
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：
【要約】【目的】 表面に凹凸がある半導体基板10の表面に絶縁と平坦化のためにSOG膜を形成し、その上表面に配線層が形成されている半導体装置において、SOG膜から充分に水分を除去して半導体装置の信頼性を高める。【構成】 絶縁と平坦化のために、SOG膜(15,19)とSiO2 膜(17,21)の互層(18,22)を複数層積層する。【作用】 各SOG膜(15,19)の膜厚が充分に薄くでき、水分を充分に除去できる。また各SOG膜はSiO2 膜でサンドイッチされ、水分を吸収することも防止される。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面にSOG膜とSiO2 膜の互層が複数層積層形成されて平坦面が形成されており、その平坦面上に配線層が形成されている半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/3205
