特許

J-GLOBAL ID：200903071917615691

半導体製造装置及び該装置に於けるウェーハ搬送方法

発明者： 小沢 誠 ,  平野 光浩
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-094381
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031909
出願日： 1995年03月28日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】半導体製造装置に於いて、スループットの向上を図ると共に装置を簡略化して拡散・CVD装置の製造コストの低減を図ろうとするものである。【構成】反応室15下方にボートを前記反応室に装入するボートエレベータ19を設け、該ボートエレベータに対向してウェーハカセットを収納するカセット受載手段24を設け、該カセット受載手段と前記ボートエレベータとの間に前記カセット受載手段と前記ボート間でウェーハの移載を行う昇降可能なウェーハ搬送機23を設け、前記ボートエレベータを収納する1つのロードロック室を設けた半導体製造装置であり、又、ウェーハの搬送を大気雰囲気で行うと共にウェーハに成膜する自然酸化膜の増加が2オングストローム程度以下となる搬送時間、或はウェーハの搬送に要する時間を室温状態で20分程度以下としたウェーハ搬送方法に係るものである。

請求項（抜粋）：

反応室下方にボートを前記反応室に装入するボートエレベータを設け、該ボートエレベータに対向してカセット受載手段を設け、該カセット受載手段と前記ボートエレベータとの間に前記カセット受載手段と前記ボート間でウェーハの移載を行う昇降可能なウェーハ搬送機を設け、前記ボートエレベータを収納する1つのロードロック室を設けたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-008516   出願人：東京エレクトロン東北株式会社