特許
J-GLOBAL ID：200903071919738596
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-137685
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077149
出願日： 1993年06月08日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 半導体スライス上への不所望な粒子の堆積およびガス入口板に対する攻撃を防止する半導体装置の製造方法を得る。【構成】 材料の層2を、反応室3中の支持体4上に配置された半導体スライス1上に堆積させ、プロセスガスを、支持体4の反対側に配置された有孔ガス入口板9を備えたガス入口系6を介してスライス1方向に誘導し、堆積の間に、フッ素またはフッ素化合物および酸素または酸素化合物を含むガス混合物中で支持体4とガス入口板9との間でプラズマを発生させることにより周期的に浄化する半導体装置の製造方法。反応室3中に、酸素が多いガス混合物を、ガス入口板9を有するガス入口系6を介して、酸素が少ないガス混合物を補助入口系23を介してそれぞれ導入する。
請求項（抜粋）：
材料の層を、反応室中の支持体上に配置された半導体スライス上に堆積させ、これによりプロセスガスを、支持体の反対側に配置された有孔ガス入口板を備えたガス入口系を介してスライス方向に誘導し、堆積の間に、フッ素またはフッ素化合物および酸素または酸素化合物を含むガス混合物中で支持体とガス入口板との間でプラズマを発生させることにより周期的に浄化する半導体装置の製造方法において、比較的酸素を多く含むガス混合物部を反応室中にガス入口板を有するガス入口系を介して導入し、この間比較的酸素を少なく含むガス混合物部を反応室中に補助入口系により導入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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