特許

J-GLOBAL ID：200903071923887547

成膜装置

発明者： 上谷 一夫
出願人/特許権者： 新明和工業株式会社
代理人 (1件)： 角田 嘉宏 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-387000
公開番号（公開出願番号）：特開2002-180241
出願日： 2000年12月20日
公開日（公表日）： 2002年06月26日
要約：

【要約】【課題】 膜の形成過程の初期段階において十分に緻密な組織とするように連続的に成膜することができる成膜装置を提供すること。【解決手段】 真空容器2内に配設された、真空容器2内部に高周波電界を発生させるための電極8と、膜材料Mを含む蒸発源7と、基材を搬送するための搬送装置9と、真空容器2内に形成されたプラズマ生成空間3および基材Wの搬送空間4と、プラズマ生成空間3と搬送空間4との間に配設された、成膜用スリット5が開口された境界壁6とを備えており、成膜用スリット5が、基材Wの進行方向に沿って上流側から順に小面積の第一スリット51と大面積の第二スリット52と小面積の第三スリット53とから構成されている。

請求項（抜粋）：

その内部に高周波電界が生じうる成膜用真空容器と、該成膜用真空容器内に形成されたプラズマ生成空間および成膜対象基材の搬送空間と、成膜対象基材を搬送するための搬送装置と、プラズマ生成空間内に配設された膜材料を含む蒸発源と、上記プラズマ生成空間と搬送空間との間に配設された、蒸発膜材料通過スリットが開口された境界壁とを備えており、上記蒸発膜材料通過スリットが、成膜対象基材の進行方向に沿って上流側から順に配設された小面積の第一スリットと大面積の第二スリットとから構成されてなる成膜装置。

IPC (2件)：

C23C 14/24 ,  C23C 14/32

FI (3件)：

C23C 14/24 G ,  C23C 14/24 V ,  C23C 14/32 B

Fターム (15件)：

4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BA44 ,  4K029BA46 ,  4K029BA48 ,  4K029BD00 ,  4K029CA03 ,  4K029CA04 ,  4K029CA13 ,  4K029DB21 ,  4K029DD02 ,  4K029FA05 ,  4K029HA03 ,  4K029KA03