特許

J-GLOBAL ID：200903071924859563

半導体レーザ

発明者： 古谷 章 ,  堂免 恵 ,  穴山 親志 ,  近藤 真人
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-307739
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162079
出願日： 1993年12月08日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザに関し、MOVPE法を適用したp・n不純物同時ドープの利点を活かしながらp型の基板を用いた半導体レーザを実現させ、マイナス接地が多い電気機器に簡単に対応できるようにする。【構成】 p-GaAs基板21上に半平面を規定する境界部分の断面形状が斜面をなし且つ他の部分は半平面をなすn-GaAs欠陥拡散抑止層22が形成され、p-AlGaInPクラッド層25及び前記斜面上でp-AlGaInP電流狭窄層部分26Pで且つ半平面上でn-AlGaInP電流狭窄層部分26Nである電流狭窄層及びp-AlGaInPクラッド層27が形成され、その上に禁制帯幅がp-AlGaInPクラッド層27より狭いInGaP活性層28が形成され、その上に禁制帯幅がInGaP活性層28より広いn-AlGaInPクラッド層29が形成されている。

請求項（抜粋）：

p型半導体基板上に半平面を覆って形成され且つ半平面を規定する境界部分の断面形状が斜面をなすと共に他の部分は半平面をなすn型半導体欠陥拡散抑止層と、全面を覆い且つ厚さ方向の所定深さに前記斜面上ではp型半導体であると共に半平面上ではn型半導体である電流狭窄層を介在したp型半導体クラッド層と、前記p型半導体クラッド層上に在って禁制帯幅が前記p型半導体クラッド層に比較して狭い半導体活性層と、前記半導体活性層上に在って禁制帯幅が前記半導体活性層に比較して広いn型半導体クラッド層とを備えてなることを特徴とする半導体レーザ。