MISトランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-035982
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235339
出願日： 1992年02月24日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】従来と同じ占有面積で駆動電流がより大きなトランジスタを得る。【構成】ポリシリコンによる幅Wのゲート電極1が十字の平面形状で形成されている。このゲート電極1で区画された4つの領域は、そのうち2つがソース領域2とされ、他の2つの領域がドレイン領域3となっている。ソース領域2およびドレイン領域3は、P型のシリコン基板に、燐イオン等のN型不純物イオンを注入することにより形成されている。ゲート電極1とシリコン基板との間には約20nmのシリコン酸化膜がゲート絶縁膜として設けられている。ゲート電極1のポリシリコンはソース・ドレイン形成時のイオン注入または別のイオン注入によって不純物が導入され電気抵抗が充分下げられている。

請求項（抜粋）：

ゲート電極の平面形状を十字にするとともに、前記ゲート電極で区画された四つの不純物領域のうち二領域をソース領域、他の二領域をドレイン領域としたMISトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/784 , H01L 27/092

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 321 E

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