特許
J-GLOBAL ID：200903071925701750
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-246561
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087575
出願日： 1997年09月11日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】放熱効率が高く、組立作業性が良く、電子装置の小型化を可能とする半導体装置を提供すること。【解決手段】セラミック基板2の回路配線パターンが形成された金属膜2aの表面上に半導体チップ3をはんだ20で固着し、半導体チップ3と回路配線パターン間をボンディングワイヤ5で接続する。またセラミック基板2の金属膜2a上に外部導出端子4をはんだ20で固着する。冷却体1の表面に凹部21を形成し、この凹部21の底面とセラミック基板2の裏面の金属膜2cとをはんだ20で固着して、セラミック基板2と冷却体1とを一体とする。さらに冷却体1の凹部21を封止樹脂部8で閉蓋し、この樹脂封止部8で半導体チップ3の表面を保護すると共に外部導出端子4を固定する。
請求項（抜粋）：
両面に金属膜を有するセラミック基板と、半導体チップおよび外部導出端子と該セラミック基板の一方の面に固着され、該セラミック基板の他方の面と接合材を介して固着される冷却体とからなる半導体装置において、冷却体の表面に凹部が形成され、該凹部内にセラミック基板の他方の面が接合材を介して固着され、さらに該凹部が樹脂封止されることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/34
, H01L 23/24
, H01L 23/28
H01L 23/34 A
, H01L 23/24
, H01L 23/28 K
