特許
J-GLOBAL ID：200903071937429908
化合物半導体単結晶ウェハの熱処理方法及びそれに用いるウェハ支持具
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-086222
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302532
出願日： 1993年04月13日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 結晶欠陥を生じさせることなく熱処理を行うことのできる化合物半導体単結晶ウェハの熱処理方法及びそれに用いるウェハ支持具を提供する。【構成】 ウェハ20の裏面に当接する平板状の支持板12をウェハホルダー10に設け、その支持板12を熱分解窒化ホウ素、グラファイト、モリブデン、タングステン、タンタル、又はシリコンにより形成した。横型炉用の場合には設置時に支持板12が垂直よりも10度傾くようにホルダー10を形成した。縦型炉用の場合には支持板32が水平よりも10度傾くようにホルダー30を形成した。【効果】 ウェハの自重による圧縮応力が分散し、またウェハ内の温度差による熱応力が低減して、結晶欠陥の発生が防止され、製造歩留りが向上する。さらに、残留応力が低減し、電気的特性のバラツキを改善することができる。
請求項（抜粋）：
化合物半導体の熱伝導率と同程度又はそれよりも大きな熱伝導率を有し、且つウェハに加わる歪力が熱処理温度における化合物半導体の臨界剪断応力以下の大きさになるようにウェハの荷重を分散可能な支持板に、ウェハの裏面を均一に支持させて熱処理を行うことを特徴とする化合物半導体単結晶ウェハの熱処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/22
, C30B 33/02
, H01L 21/324
, H01L 21/68
