特許

J-GLOBAL ID：200903071942057040

酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法

発明者： 芦沢 寅之助 ,  大槻 裕人 ,  吉田 誠人 ,  寺崎 裕樹 ,  倉田 靖 ,  松沢 純 ,  丹野 清仁 ,  桜田 剛史
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-349243
公開番号（公開出願番号）：特開平11-181406
出願日： 1997年12月18日
公開日（公表日）： 1999年07月06日
要約：

【要約】【課題】SiO2 絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨する酸化セリウム研磨剤を提供する。【解決手段】TEOS-CVD法等で作製したSiO2 絶縁膜を形成させたSiウエハを、500nm以上の粒子径の含有量が3〜40体積%、中央値が150〜450nmである酸化セリウム粒子を媒体に分散させたスラリーを含む酸化セリウム研磨剤で研磨する。

請求項（抜粋）：

500nm以上の粒子径の含有量が3〜40体積%の酸化セリウム粒子、水、及び分散剤を含む酸化セリウム研磨剤。

IPC (4件)：

C09K 3/14 550 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622 ,  C01F 17/00

FI (4件)：

C09K 3/14 550 D ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 622 B ,  C01F 17/00 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特許第2592401号
  
• 酸化セリウム研磨剤及び基板の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-077814   出願人：日立化成工業株式会社, 株式会社日立製作所