特許
J-GLOBAL ID：200903071949424820
マイクロ波集積回路素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-270469
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120414
出願日： 1992年10月08日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 高誘電率基板に電界効果トランジスタ等のチップ部品をマウントしてマイクロ波集積回路装置を形成する際に要するチップ部品数を削減して製造を容易にする。【構成】 半導体基板上に電界効果トランジスタ(以下、FETと略す)1Aを形成し、FET1Aのゲートに一端をした状態に半導体基板上に抵抗素子1B,1Cを形成し、抵抗素子1Aの他端に一端を接続するとともにFET1Aのソースに他端を接続した状態に半導体基板上にキャパシタンス素子1Eを形成し、抵抗素子1Cの他端に一端をそれぞれ接続するとともにFET1Aのソースに他端をそれぞれ接続した状態に半導体基板上に抵抗素子1Dおよびキャパシタンス素子1Fを形成している。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板上に形成した能動素子と、前記半導体基板上に形成して前記能動素子に対してバイアスを与えるバイアス用回路素子と、前記半導体基板上に形成して前記能動素子の動作を安定化させる安定化用回路素子とを備えたマイクロ波集積回路素子。
IPC (3件)：
H01L 25/00
, H01L 27/04
, H03F 3/60
