特許

J-GLOBAL ID：200903071950641789

多孔質反射防止膜の製造方法

発明者： 石倉 淳理 ,  大谷 実 ,  藤村 秀彦 ,  沢村 光治
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 阪本 善朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-343111
公開番号（公開出願番号）：特開平6-167601
出願日： 1992年11月30日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】【目的】 レーザー耐力が大きく、しかも吸収が小さい多孔質反射防止膜を成膜する。【構成】 石英からなる基板の成膜面をエッチング処理して清浄化したのち、前記基板の成膜面にSiO2 とNaFの体積混合比が1乃至3の範囲内となるように混合膜を蒸着する。ついで、水槽中の水をかくはんしながら水温80°Cに保ち、前記混合膜を蒸着した基板を20分間浸す水処理を行い多孔質反射防止膜を製造する。図に示すように、SiO2 に対するNaFの体積混合比が1乃至3の範囲内では屈折率および吸収が小さく膜厚は大きい。

請求項（抜粋）：

基板の成膜面をエッチングしたのち、前記成膜面にSiO2に対するNaFの体積混合比が1乃至3の範囲内の混合膜を蒸着し、ついで、前記混合膜を水または水溶液で水処理することを特徴とする多孔質反射防止膜の製造方法。