特許

J-GLOBAL ID：200903071951129240

紫外線照射による高品質シリコン窒化膜の成膜方法

発明者： 斎藤 豪
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-123639
公開番号（公開出願番号）：特開2005-310927
出願日： 2004年04月20日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：

【課題】 塩素、水素等の含有不純物を低減した高品質シリコン窒化膜を低温で形成する。【解決手段】 被処理基板41上の高品質シリコン窒化膜43表面に、反応物質として塩化珪素物質を含む化学気相成長法で膜厚が0.5nm〜5nmの新たなシリコン窒化薄膜層44を積層し、続いて光子エネルギーが4.16eV以上で5.0eV未満の紫外線光45を前記シリコン窒化薄膜層44に照射し、上記シリコン窒化薄膜層44中のSi-Cl結合を切断すると共に窒素原子の活性種との反応でSi-N結合に変えてシリコン窒化薄膜層44中のClを除去し、含有塩素量の少ない高品質シリコン窒化薄膜層46を形成する。以後、上記新たなシリコン窒化薄膜層44の堆積と上記Cl除去とを繰り返し、含有不純物の低減した所望の膜厚の高品質シリコン窒化膜を成膜する。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

第1反応物質に塩化珪素化合物を用い、第2反応物質にN-H結合を有する化合物を用いた化学気相成長法によるシリコン窒化膜の成膜方法であって、 前記化学気相成長により所定の膜厚のシリコン窒化膜を堆積させる工程(a)と、 前記所定の膜厚のシリコン窒化膜を紫外光で照射すると共に窒素原子を含んだ活性種に曝す工程(b)と、 を有する高品質シリコン窒化膜の成膜方法。

IPC (4件)：

H01L21/318 ,  C23C16/42 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78

FI (6件)：

H01L21/318 B ,  C23C16/42 ,  H01L29/78 301F ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301N ,  H01L21/90 K

Fターム (38件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA08 ,  4K030FA10 ,  4K030FA17 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030LA15 ,  5F033RR06 ,  5F033SS01 ,  5F033SS13 ,  5F033WW07 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BF02 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BH16 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ03 ,  5F058BJ05 ,  5F058BJ07 ,  5F140AA24 ,  5F140BD07 ,  5F140BE10 ,  5F140BE13 ,  5F140BK27 ,  5F140CC08 ,  5F140CC11 ,  5F140CC12

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭63-40314号公報
  
• ヘキサクロロジシランおよびアンモニアを用いた原子層蒸着によるシリコン含有固体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-174015   出願人：三星電子株式会社