量子細線または量子箱構造を有する化合物半導体の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-340901
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175118
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】量子細線または量子箱構造を有する化合物半導体の作製工程において、空気に曝されることにより生じるウェル層側壁の変質やエッチングによるダメージを無くし、急峻なウェルとバリアの界面を持つ帯域が狭く強度の強い利得スペクトルが得られる化合物半導体を作製する。【構成】化合物半導体からなる基板または第1の化合物半導体の表面に、光または粒子線によるホログラフィックな干渉パターンを形成し、第2の化合物半導体の構成元素の一部を含む原料ガスを供給して第2の化合物半導体の構成元素を含むドロップを形成し、このドロップ部に含まれない第2の化合物半導体の他の構成元素を含む原料ガスを導入して、上記のドロップ部に第2の化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させた後、基板を構成する化合物半導体もしくは第1の化合物半導体結晶を成長させて、第2の化合物半導体結晶を埋め込むと同時に表面を平滑にする工程を含む量子細線または量子箱構造を持つ化合物半導体の作製方法。

請求項（抜粋）：

(1)化合物半導体結晶を成長する結晶成長室内に装填された化合物半導体よりなる基板、もしくは基板上に形成された第1の化合物半導体結晶の表面に、光または粒子線によるホログラフィックな干渉パターンを形成した状態で、第2の化合物半導体の構成元素の一部を含む原料ガスを導入して、上記干渉パターンの強度分布の強い場所に、上記第2の化合物半導体の構成元素の一部からなるドロップを形成する工程と、(2)上記(1)の工程において用いた第2の化合物半導体の構成元素以外の第2の化合物半導体の構成元素を含む原料ガスを導入して、上記ドロップ部の第1の化合物半導体結晶からなる基板上に第2の化合物半導体結晶をエピタキシャル成長する工程と、(3)上記(2)の工程により第2の化合物半導体結晶を成長させた基板上に、上記第1の化合物半導体結晶を成長させて、第2の化合物半導体結晶を埋め込み、かつ第1の化合物半導体により平坦面を形成する工程を含み、上記(1)、(2)、(3)の工程を少なくとも1回繰り返して行うことを特徴とする量子細線または量子箱構造を有する化合物半導体の作製方法。

IPC (7件)：

H01L 21/20 , C30B 23/04 , C30B 25/04 , H01L 21/205 , H01L 21/263 , H01L 21/268 , H01L 29/04

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