特許

J-GLOBAL ID：200903071958430205

IC、ICの製造方法、3次元実装IC、3次元実装ICの製造方法、及びこれらIC又は3次元実装ICを組み込んだ電子機器

発明者： 西野 達雄
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡部 敏彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-234554
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050736
出願日： 2000年08月02日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 IC実装基板の小型化・軽量化を可能にする事に加え、寄生容量、寄生インダクタンス、寄生抵抗の発生を抑え、IC間や外部デバイスとの超高速伝送性能を高める事ができるIC、3次元実装IC、これらの製造方法、及びこれらを組み込んだ電子機器を提供する。【解決手段】 集積回路2が形成された半導体ウエハ1の全面を酸化膜3で被覆し、集積回路2の入出力ピン2a上の酸化膜3をエッチング除去して入出力ピン2aを外部に露出する穴4を形成し、この穴4に導電材料を注入、またはめっきにより電極5を形成、集積回路2を避ける位置に貫通穴6を形成し、貫通穴6の内側を酸化膜7で被覆し、半田を注入、またはめっきにより半田電極8を形成する。さらに、半導体ウエハ1上でICチップの検査を経た後、個々のICチップに切断して不良品を取り除く。

請求項（抜粋）：

IC本体を貫通して形成され、表面と裏面に両端が開口する外部接続用導電性の導電穴を有することを特徴とするIC。

IPC (5件)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 23/52

FI (3件)：

H01L 25/08 B ,  H01L 21/88 J ,  H01L 23/52 C

Fターム (6件)：

5F033HH07 ,  5F033JJ13 ,  5F033KK01 ,  5F033MM30 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28