特許

J-GLOBAL ID：200903071958994397

半導体装置およびその製造方法

発明者： 廣川 潤 ,  吉田 育生
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-155769
公開番号（公開出願番号）：特開平9-007975
出願日： 1995年06月22日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウエハから分離される複数の半導体チップの平面形状が特定の形状に制限されないことが可能な技術技術を提供する。【構成】 ウエハ13から半導体チップ1を分離する場合、ウエハ13をエッチング処理して半導体チップ1を分離する。エッチング処理時にマスクとして用いるレジスト14のパターンを変更するだけで、任意の平面形状の半導体チップ1を形成することが可能となる。これによって、従来のダイシング方法によって形成される方形状以外にも円形状、楕円形状のような任意の平面形状を有する半導体チップ1が得られるので、目的、用途などに適した平面形状の半導体チップ1を得ることができる。

請求項（抜粋）：

任意の平面形状に形成された半導体チップを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/02

FI (4件)：

H01L 21/78 S ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/78 A ,  H01L 21/78 R