特許
J-GLOBAL ID：200903071962798527
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-098418
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284066
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 製作期間を従来に比べて短かくすることができ、また、配線部を変えることにより多品種の半導体装置を作製することが可能である。【解決手段】 一の半導体基板1上にトランジスタ部を形成し、他の半導体基板9上に配線部を形成し、一の半導体基板のトランジスタ部と他の半導体基板の配線部とを張り合わせることによりトランジスタ部と配線部を電気的に導通させて半導体装置を形成する。
請求項（抜粋）：
一の半導体基板上にトランジスタ部を形成し、他の半導体基板上に配線部を形成し、一の半導体基板のトランジスタ部と他の半導体基板の配線部とを張り合わせることによりトランジスタ部と配線部を電気的に導通させて半導体装置を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/90 B
, H01L 27/12 B
