特許

J-GLOBAL ID：200903071963768451

半導体装置の製造方法

発明者： 赤松 かおり ,  小田中 紳二 ,  海本 博之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-332086
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133610
出願日： 1997年06月24日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】製造プロセスを簡略化することができる。【解決手段】半導体装置の製造方法が、イオン注入によってしきい値電圧制御のための不純物拡散層を形成する工程と、イオン注入によって発生した結晶欠陥の回復のための高温短時間熱処理を行う工程とを、熱処理を実施することなく連続的に行う。その後に、イオン注入によって発生した結晶欠陥の回復のためのRTA処理を行う。このRTA処理は、結晶欠陥の原因となる格子間原子を拡散させるが、不純物拡散層の不純物は拡散させないように設定されている。その後に、ゲート酸化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

高エネルギーイオンの注入によりウェル或いは埋め込み層を形成する工程と、その後に、イオン注入によってしきい値電圧制御のための不純物拡散層を形成する工程と、その後に、該イオン注入によって発生した結晶欠陥の回復のためのRTA処理を行う工程と、該RTA処理工程の後に、ゲート酸化膜を形成する工程と、を包含し、該RTA処理の処理条件は、該結晶欠陥の原因となる格子間原子は拡散させるが、該不純物拡散層の不純物は拡散させないように設定されている、半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 21/265 602 B ,  H01L 21/265 F ,  H01L 27/08 321 B