特許
J-GLOBAL ID：200903071964705135
高密度ITO焼結体およびその製造方法並びにスパッタリングターゲット
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-096399
公開番号（公開出願番号）：特開平9-025567
出願日： 1996年04月18日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：
【要約】【課題】 ターゲットとして用いた場合、スパッタリング中のノジュール発生・パーティクル発生を抑制することができるIT焼結体を提供する。【解決手段】 In,Sn,Oを含む焼結体で、その焼結体中に存在する空孔径の平均長さが0.7μm以下であるITO焼結体。このITO焼結体は、少なくとも酸化スズ粉末として90%以上が1μm以下の粒径をもつものを用い、これを5〜15重量%含む、酸化インジウムと酸化スズとを含む混合粉末の成形体を酸素雰囲気中で焼結するか、または酸化インジウム粉末と最大粒径が1μm以下でかつメジアン径が0.4μm以下である酸化スズ粉末とを含む、タップ密度が1.8g/cm3以上の酸化スズ・酸化インジウム混合粉末を成形して得られる成形体を酸素雰囲気下で焼結することにより得られる。
請求項（抜粋）：
実質的にインジウム、スズおよび酸素を有する焼結体で、その焼結体の任意の表面の単位面積中に存在する空孔の、直径法により求めた空孔径の平均長さが0.7μm以下であるITO焼結体。
IPC (7件)：
C23C 14/34
, C01G 19/00
, C04B 35/457
, C04B 35/495
, G02F 1/1343
, H01B 13/00 503
, C23C 14/08
C23C 14/34 A
, C01G 19/00 A
, G02F 1/1343
, H01B 13/00 503 B
, C23C 14/08 D
, C04B 35/00 R
, C04B 35/00 J
