特許
J-GLOBAL ID：200903071965511601
CVD装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-145335
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343331
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】CVD装置において、反応性ガス供給ヘッドを効率的に冷却する事により、反応生成物の塵埃によるウエハ汚染を低減し、半導体素子製造過程における歩留まりの向上と高スループット化を実現する。【構成】ガス供給ヘッド2は、ガスバッファ室18を囲む様に冷却ジャケット21が、ガスバッファ室18から冷却ジャケット21を貫通する様に、微小孔を有する複数本の連結棒19が設けられる。この微小孔がガス噴出口17となり、反応性ガスをCVD反応炉1内に供給する。この時、この冷却ジャケットに冷却流体を流動させる。
請求項（抜粋）：
CVD反応炉内に設けられたサセプタ上にウエハを設置し、前記ウエハを加熱すると同時に、反応性ガスを水等の冷却流体により冷却されるガス供給ヘッドのガス噴出口より前記CVD反応炉内に供給し、排気口より真空ポンプでガス排気して、前記ウエハ上に薄膜を生成するCVD装置において、ガスバッファ室を囲む様に冷却ジャケットが、前記ガスバッファ室から前記冷却ジャケットを貫通する様に微小孔を有する複数本の棒が設けられた構造のガス供給ヘッドを用いて、前記微小孔を前記ガス噴出口として、前記反応性ガスを前記CVD反応炉内に供給することを特徴とするCVD装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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