特許
J-GLOBAL ID：200903071971064943

アルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法および結晶積層基板

発明者：
纐纈 明伯

纐纈 明伯 について

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熊谷 義直

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永島 徹

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高田 和哉

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出願人/特許権者：
株式会社トクヤマ

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公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-162611
公開番号（公開出願番号）：特開2006-335607
出願日： 2005年06月02日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：
【課題】 HVPE法によるエピタキシャル成長法においてAl系III族窒化物結晶を製造する際の成長手順を検討して、結晶性が著しく向上したAl系III族窒化物結晶を得る製法を提供する。 【解決手段】 三塩化アルミニウム等のハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスとアンモニア等の窒素源ガスとを基板上で反応させることにより基板上に気相成長させてアルミニウム系III族窒化物結晶を製造する際に、予め300〜550°Cで前記両ガスを反応させ、次いで1100°C〜1600°Cで同両ガスを反応させる二段成長法を採用する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
ハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを基板上で反応させることにより基板上に気相成長させてアルミニウム系III族窒化物結晶を製造する方法において、300〜550°Cで前記両ガスを反応させ、次いで1100°C〜1600°Cで同両ガスを反応させることを特徴とするアルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/06 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
C30B29/06 504D ,  C30B29/38 C ,  H01L21/205
Fターム (25件)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE12 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB15 ,  4G077DB21 ,  4G077HA02 ,  4G077TB03 ,  4G077TB04 ,  4G077TJ03 ,  5F045AA03 ,  5F045AB09 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AD18 ,  5F045AF07 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ06 ,  5F045EK27
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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