特許
J-GLOBAL ID：200903071978563392
静電容量型マイクロフローセンサ及び静電容量型マイクロフローセンサの製造方法並びに静電容量型マイクロフローセンサの外付け用固定具
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安孫子 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-262924
公開番号（公開出願番号）：特開平11-083886
出願日： 1997年09月11日
公開日（公表日）： 1999年03月26日
要約：
【要約】【課題】 二方向の流速計測を可能とする。【解決手段】 第1の基板1には、第1及び第2の検出電極5,6がそれぞれ設けられる一方、第2の基板2においては、第1のボス部15の周囲には、第1の計測凹部10が、第2のボス部20の周囲には、第2の計測凹部11が、それぞれ形成されており、第1の計測凹部10と外部とを連通する第1のセンサ部用連通路16a,16bと、第2の計測凹部11と外部とを連通する第2のセンサ部用連通路21a,21bとは、その開口部分が互いに逆向きとなっている。そして、流速により生ずる差圧がダイヤフラム13a,13bに作用することで、第1の検出電極5と第1のボス部15との間の静電容量が、また、第2の検出電極6と第2のボス部20との間の静電容量が、それぞれ差圧に応じたものとして得られるようになっており、しかも、それぞれ逆方向の流速によるものとなっている。
請求項（抜粋）：
絶縁性部材からなる第1の基板と、半導体部材からなる第2の基板とが接合されてなり、前記第1の基板の前記第2の基板との対向面には、導電性部材からなる第1及び第2の電極がそれぞれ配設される一方、前記第2の基板の前記第1の基板との対向面側には、前記第1の電極と所定間隙を介して対向する第1のボス部と、前記第2の電極と所定間隙を介して対向する第2のボス部がそれぞれ設けられると共に、前記第1のボス部の周囲には、底部がダイヤフラムとなるよう第1の凹部が、前記第2のボス部の周囲には、底部がダイヤフラムとなるよう第2の凹部が、それぞれ凹設され、かつ、この第1の凹部と第2の凹部とを分離する隔壁がこれら第1の凹部と第2の凹部との間に形成され、さらに、前記第1の凹部と外部とを連通する第1の連通路が、前記第2の凹部と外部とを連通する第2の連通路が、それぞれ形成されてなり、前記第1の凹部における圧力と外部との圧力差に応じて生ずる前記第1の電極と前記第1の主ボス部とにより構成される第1のコンデンサの静電容量の変化及び前記第2の電極と前記第2のボス部とにより構成される第2のコンデンサの静電容量の変化が、それぞれ検出可能に構成されてなることを特徴とする静電容量型マイクロフローセンサ。
IPC (4件)：
G01P 5/00
, G01P 5/14
, H01L 21/306
, H01L 29/84
G01P 5/00 E
, G01P 5/14 J
, H01L 29/84 Z
, H01L 21/306 Z
