特許

J-GLOBAL ID：200903071980639088

裏面入射型ホトダイオード及びホトダイオードアレイ

発明者： 岡本 浩二 ,  藤井 義磨郎
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-124591
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319669
出願日： 2001年04月23日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】 光ファイバ等のアセンブリ時における作業効率を低下させることなく、受光部の損傷を抑制可能な裏面入射型ホトダイオードを提供する。【解決手段】 この裏面入射型ホトダイオードによれば、光ファイバFをホトダイオード10の凹部1d内に挿入して取付ける際、この部品は段部1dsに当接するので、これよりも深部に位置する光感応領域1rは当該部品から保護されることとなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面側に光感応領域が形成され、前記半導体基板の裏面側から前記光感応領域方向に延びた凹部を有し、前記凹部を介して前記光感応領域に光が入射する裏面入射型ホトダイオードにおいて、前記凹部の側面は段部を有することを特徴とする裏面入射型ホトダイオード。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/0232 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A ,  H01L 31/02 C

Fターム (30件)：

4M118BA06 ,  4M118CA02 ,  4M118CA32 ,  4M118GA02 ,  4M118GA09 ,  4M118HA14 ,  4M118HA31 ,  5F049MA04 ,  5F049NA09 ,  5F049NA10 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049QA06 ,  5F049QA20 ,  5F049RA02 ,  5F049SS02 ,  5F049SZ20 ,  5F049TA14 ,  5F088AA01 ,  5F088BA16 ,  5F088BB02 ,  5F088BB03 ,  5F088DA17 ,  5F088EA03 ,  5F088EA04 ,  5F088EA20 ,  5F088GA07 ,  5F088GA08 ,  5F088GA10 ,  5F088JA14