特許
J-GLOBAL ID：200903071984097263
化合物半導体の成長方法、化合物半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-045809
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243614
出願日： 1992年03月03日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 結晶性が良好で抵抗率の低い化合物半導体が得られる化合物半導体の成長方法、及びこの成長方法を利用した、電気的及び光学的特性が良好な化合物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【構成】 原子半径がGa及びAlよりも大きいIII族元素、例えばInを添加してGa1-xAlxN層(0≦x≦1)を形成することにより、形成される結晶に圧縮性歪を与え、窒素空孔に起因する結晶中の拡張性歪を緩和することができる。その結果、図1に示すように結晶中の自由電子濃度が減少し、格子欠陥の少ない結晶性の良好な化合物半導体が得られる。
請求項（抜粋）：
成長装置内でGa1-xAlxN層(0≦x≦1)を成長させる化合物半導体の成長方法において、該Ga1-xAlxN層に、原子半径がGa及びAlよりも大きいIII族元素を1×1017cm-3から7×1022cm-3までの濃度範囲だけ添加する工程を含む化合物半導体の成長方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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