特許
J-GLOBAL ID：200903071986517030
トンネル磁気抵抗効果素子の特性検査方法および特性検査装置、ならびにハードディスクドライブ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
皿田 秀夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-196959
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023131
出願日： 1999年07月12日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】【課題】 「素子にダメージを与えたり破壊させることなく」しかも「効率良く」、素子の特性が導出することができるトンネル磁気抵抗効果素子の検査方法および特性検査装置、ならびにハードディスクドライブ装置を提供する。【解決手段】 トンネルバリア層と、トンネルバリア層を挟むようにして形成された第1の強磁性層と第2の強磁性層が積層されたトンネル多層膜を有するトンネル磁気抵抗効果素子の特性検査方法であって、該方法は、検査対象である素子を破壊させることがない初期電流値I0を予め設定する工程と、当該初期電流値I0を用いて、素子の概略抵抗値である第1の抵抗値R1を測定し、検査対象である素子の測定基準となる電圧値Vsと上記の第1の抵抗値R1とにより検査電流値Is(Is=Vs/R1)を定める工程と、当該検査電流値Isにより素子の特性検査を行う工程とを含んでなるように構成する。
請求項（抜粋）：
トンネルバリア層と、トンネルバリア層を挟むようにして形成された第1の強磁性層と第2の強磁性層が積層されたトンネル多層膜を有するトンネル磁気抵抗効果素子の特性検査方法であって、該方法は、検査対象である素子を破壊させることがない初期電流値I0を予め設定する工程と、当該初期電流値I0を用いて、素子の概略抵抗値である第1の抵抗値R1を測定し、検査対象である素子の測定基準となる電圧値Vsと上記の第1の抵抗値R1とにより検査電流値Is(Is=Vs/R1)を定める工程と、当該検査電流値Isにより素子の特性検査を行う工程と、を含んでなることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子の特性検査方法。
IPC (4件)：
G11B 5/455
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01L 43/00
G11B 5/455 C
, G11B 5/39
, H01L 43/00
, G01R 33/06 R
2G017AD55
, 2G017AD63
, 2G017AD65
, 2G017BA05
, 2G017BA11
, 5D034BA02
, 5D034BA15
, 5D034BB14
, 5D034DA07
