半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：玉村静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-096321
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274296
出願日： 1995年03月29日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】半導体集積回路の高集積化に伴う弊害である配線経路面積の増大を解決する技術を提供する。【構成】電子回路素子を搭載した回路用チップ101〜105と、上記電子回路素子間を接続する配線経路を搭載した配線用チップ110とを積層させ、両層を光送信素子111と光受信素子112とを用いて光信号で接続し、所定の電子回路素子間を接続する半導体集積回路100は、電子回路素子を高集積化しても、増大する配線経路は配線用チップで集積できるから、高集積化の弊害を解消することができる。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路を構成する電子回路素子を搭載した回路用チップと、上記電子回路素子の配線経路を設けた配線用チップとを備え、上記回路用チップと配線用チップは積層状態に配置され、上記電子回路素子の入力点には光信号を電気信号に変換する光受信素子が設けられ、上記電子回路素子の出力点には電気信号を光信号に変換する光送信素子が設けられ、上記電子回路素子の入力点に対応する配線用チップの配線経路には光送信素子が設けられ、上記電子回路素子の出力点に対応する配線用チップの配線経路には光受信素子が設けられることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/15 , H01L 31/10 , H01L 31/12

FI (3件)：

H01L 27/15 C , H01L 31/12 G , H01L 31/10 Z

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-119667
特開平3-023671
特開昭59-075656

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