特許
J-GLOBAL ID：200903071990846375
半導体結晶の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-276420
公開番号（公開出願番号）：特開平8-133898
出願日： 1994年11月10日
公開日（公表日）： 1996年05月28日
要約：
【要約】【目的】 半導体結晶の製造方法に関し、HgCdTe結晶成長工程或いはHgCdTe結晶成長後においてHgCdTe結晶中からIa族元素(Li,Na,K)を除去して、HgCdTeフォトダイオードの特性を向上する。【構成】 Ib族元素(Cu,Ag,Au)をドープしたTe過剰のHg-Cd-Te成長溶液4中に成長基板1を浸漬し、成長基板1上にHgCdTe層をエピタキシャル成長させる。
請求項（抜粋）：
Teが過剰のHg、Cd、及び、Teを含む成長溶液中にIb族元素をドープし、この成長溶液を用いて成長基板上にHgCdTe層をエピタキシャル成長させることを特徴とする半導体結晶の製造方法。
IPC (5件)：
C30B 29/48
, C30B 19/00
, H01L 21/368
, H01L 21/477
, H01L 31/0264
