特許

J-GLOBAL ID：200903071992879734

II-VI族化合物半導体装置およびその製造方法

発明者： 村上 正紀 ,  小出 康夫 ,  寺口 信明 ,  友村 好隆
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-053589
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263372
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】 接触抵抗の小さい電極構造を有するII-VI族化合物半導体装置を得ること。【構成】 p型ZnXMg1-XSYSe1-Y(0≦X≦1、0≦Y≦1)半導体層を有し、該半導体層上に半導体層を構成する元素とCd、TeまたはHgである添加物元素との化合物からなる中間層が形成され、該中間層上にNi、PtまたはPdを含んでなる電極層が形成されていることを特徴とするII-VI族化合物半導体装置及びその製造方法。【効果】 得られるII-VI族化合物半導体装置はオーミック接触が可能である。

請求項（抜粋）：

p型ZnXMg1-XSYSe1-Y(0≦X≦1、0≦Y≦1)半導体層を有し、該半導体層上に半導体層を構成する元素とCd、TeまたはHgである添加物元素との化合物からなる中間層が形成され、該中間層上にNi、PtまたはPdを含んでなる電極層が形成されていることを特徴とするII-VI族化合物半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/363 ,  H01S 3/18