特許
J-GLOBAL ID：200903072009785287
静電容量型圧力センサ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-182626
公開番号（公開出願番号）：特開2001-013025
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 小型で安価な温度検知機能を具備した静電容量型圧力センサを提供すること。【解決手段】 可変ダイアフラム部33を有するシリコン基板31と固定電極36を有するガラス基板32とがギャップ34を介して接合されて成る静電容量型圧力センサチップ35の、シリコン基板31の領域またはガラス基板32の領域に半導体サーミスタ46を形成したことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
請求項（抜粋）：
固定電極が形成された第1の基板と、圧力に応じて変形するダイアフラム部が形成された第2の基板とを有し、前記ダイアフラム部と前記固定電極とがギャップを介して互いに対向して接合することで空洞部を形成したセンサチップを備えた静電容量型圧力センサにおいて、前記第1の基板、または第2の基板の領域に温度検知素子を具備したことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
2F055AA40
, 2F055BB20
, 2F055DD05
, 2F055DD07
, 2F055EE25
, 2F055FF02
, 2F055GG11
