特許

J-GLOBAL ID：200903072013771622

高電圧からドレンエクステンダ注入を除くことによる二重供給電圧の組込み

発明者： カルシク バサンス ,  リチャード ジー.バーチ ,  シャラド サクセナ ,  プルネンドュ ケイ.モズムデル ,  チェンジング エル.フェルナンド ,  ジョセフ シー.デービス ,  スラジ ラオ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-105258
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330267
出願日： 1999年04月13日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 二重電圧方式の集積回路コアトランジスタと周辺トランジスタの製作を簡単にかつ柔軟に行う方法を提供する.【解決手段】 ゲート側壁スペーサ(50)の厚さとソース/ドレン(60)注入を調整することにより、高電圧トランジスタ(HV)内に中位にドープされた(LDDまたはMDD)領域(40)を持たない二重電圧チップを製作する。

請求項（抜粋）：

集積回路デバイス構造であって、第1の導電率型の第1および第2の複数個のトランジスタを含み、前記第1および第2の複数個のトランジスタの全てのドーパント拡散は同じであるが、前記第2の複数個のトランジスタは対応するゲートの端に自己整合する拡散を含まず、前記第1の複数個のトランジスタはゲートの端に自己整合する拡散を含む、集積回路デバイス構造。

IPC (4件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 27/08 102 B ,  H01L 29/78 301 L