特許
J-GLOBAL ID：200903072020740201
CVD装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-221253
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069140
出願日： 1992年08月20日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 処理終了後の半導体ウェハを高温の処理雰囲気から常温雰囲気へ搬出する際に割れが生じないようにする。【構成】 CVD処理を行う反応室2、この反応室2へ処理対象の半導体ウェハを搬入するローダ1、このローダ1と反応室2の間に設けられて前記半導体ウェハを常温から中間温度へ予備加熱する予備加熱室6と、反応室2に連結されて処理の終了した半導体ウェハを中間温度にまで冷却する予備冷却室7、前記半導体ウェハを予備冷却室7から常温雰囲気中へ搬出するアンローダ3とから構成される。
請求項（抜粋）：
CVD処理を行う反応室と、この反応室へ処理対象の半導体ウェハを搬入するローダと、前記反応室に連結されて処理の終了した半導体ウェハを所定温度まで冷却する予備冷却室と、該予備冷却室から前記半導体ウェハを搬出するアンローダとを具備することを特徴とするCVD装置。
IPC (2件)：
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