特許

J-GLOBAL ID：200903072022209783

結晶性シリコン膜及びその製造方法

発明者： 岸田 茂明 ,  桐村 浩哉 ,  緒方 潔
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-060820
公開番号（公開出願番号）：特開平9-251958
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】 比較的低温下で、生産性良く形成された結晶性シリコン膜、及び比較的低温下で、生産性良く膜形成できる結晶性シリコン膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン系ガスを含む原料ガスをプラズマ励起用エネルギの供給によりプラズマ化し、このプラズマの下で被成膜物品S上に形成した結晶性シリコン膜Mであって、膜Mは被成膜物品Sとの界面層M1及び上層膜M2からなり、界面層M1は、物品S表面近傍の真空度を1×10-3Torr〜1×10-8Torrに維持しつつ物品S表面をプラズマに曝すとともに物品S表面にイオンビームを照射してシリコン結晶種を形成した層であり、上層膜M2は、引き続き物品S表面近傍の真空度を1×10-3Torr〜1×10-8Torrに維持しつつ物品S表面をプラズマに曝し、イオンビームを照射せずにシリコン結晶を成長させた層である結晶性シリコン膜M。

請求項（抜粋）：

シリコン系ガスを含む原料ガスをプラズマ励起用エネルギの供給によりプラズマ化し、該プラズマの下で被成膜物品上に形成した結晶性シリコン膜であって、該膜は該被成膜物品との界面層及び上層膜からなり、該界面層は、該物品表面近傍の真空度を1×10-3Torr〜1×10-8Torrに維持しつつ該物品表面を前記プラズマに曝すとともに該物品表面にイオンビームを照射してシリコン結晶種を形成した層であり、該上層膜は、引き続き該物品表面近傍の真空度を1×10-3Torr〜1×10-8Torrに維持しつつ該物品表面を前記プラズマに曝し、イオンビームを照射せずにシリコン結晶を成長させた層であることを特徴とする結晶性シリコン膜。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/22 ,  C30B 29/06 504 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324

FI (6件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/14 A ,  C23C 14/22 F ,  C30B 29/06 504 Z ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324 Z