特許

J-GLOBAL ID：200903072028784828

半導体薄膜の固相成長方法

発明者： 岡本 弘之
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 友松 英爾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-222147
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047660
出願日： 1991年08月07日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【構成】 (a)絶縁性基板上に不純物濃度の低い非晶質半導体膜と不純物濃度の高い非晶質半導体膜を順次堆積させ、(b)前記積層された非晶質半導体膜に結晶成長の核を生成させる熱アニール処理をし、(c)前記核が生成された膜のうち膜表面付近の不純物濃度の高い領域にイオン注入を行いアモルファス化することで核の密度を低減させ、(d)前記核の密度が低減された膜を再び熱処理して固相成長を行う。【効果】 核密度の低い非晶質半導体層の形成時間の短縮、低温で特性の優れたSOIの提供。

請求項（抜粋）：

(a)絶縁性基板上に不純物濃度の低い非晶質半導体膜と不純物濃度の高い非晶質半導体膜を順次堆積させる工程と、(b)前記積層された非晶質半導体膜に熱処理をして結晶成長の核を生成させる熱アニール工程と、(c)前記核が生成された膜のうち膜表面付近の不純物濃度の高い領域にイオン注入を行いアモルファス化することで核の密度を低減する工程と、(d)前記核の密度が低減された膜を再び熱処理して固相成長を行う熱アニール工程を有することを特徴とする半導体薄膜の固相成長方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/225 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/40 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 29/78 311 F ,  H01L 21/265 Q