特許
J-GLOBAL ID：200903072030381579
多層セラミック基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-081648
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243744
出願日： 1992年03月02日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 誘電体材料および磁性体材料に対する制約がなく、かつ材料間の成分の相互拡散も起こらず、従って高性能かつ高精度のコンデンサおよびインダクタを内蔵可能な多層セラミック基板を提供する。【構成】 この多層セラミック基板は、内部にコンデンサ24、34が形成された多層構造の焼成済の二つの誘電体基板20、30と、内部にインダクタ44が形成された単層または多層構造の焼成済の磁性体基板40とを積み重ねて、導電接合手段の一例であるバンプ26、36、46によって互いに電気的かつ機械的に接合して一体化したものである。
請求項（抜粋）：
内部にコンデンサが形成された多層構造の焼成済の1以上の誘電体基板と、内部にインダクタが形成された単層または多層構造の焼成済の1以上の磁性体基板とを積み重ねて、導電接合手段によって互いに電気的かつ機械的に接合して一体化して成ることを特徴とする多層セラミック基板。
IPC (2件)：
H05K 3/46
, H01G 4/12 349
