特許

J-GLOBAL ID：200903072033181139

半導体集積回路装置

発明者： 瀧澤 登
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 香
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-178724
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007214
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】静電破壊に強く自動設計にも適した半導体集積回路装置の実現。【解決手段】周辺部から中央部へ順に電極2,3,4と環状配線5,6および入出力回路7と内部回路8とが配置されている半導体集積回路装置10において、電極3,4から環状配線5,6を経て内部回路8に至る電力配線のうち対をなすものに関し、一方の電力配線5a,5b,5cにおける該当環状配線5から内部回路8への接続位置5bを他方の電力配線6a,6b,6cにおける該当電極4から該当環状配線6への接続位置6aに対応させ、他方の電力配線6a〜6cにおける該当環状配線6から内部回路8への接続位置6bを一方の電力配線5a〜5cにおける該当電極3から該当環状配線5への接続位置に対応させる。接続位置関係の入れ替わったところの入出力回路が回路的にも電極側に移って、サージノイズの漏れ量が減る。

請求項（抜粋）：

周辺部から中央部へ順に電極と環状配線および入出力回路と内部回路とが配置されている半導体集積回路装置において、前記電極から前記環状配線を経て前記内部回路に至る電力配線のうち対をなすものが、自己の該当電極よりも相手方の該当電極に近いところで該当環状配線から前記内部回路に接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 21/82 L ,  H01L 27/04 D

Fターム (22件)：

5F038BE07 ,  5F038BH13 ,  5F038BH19 ,  5F038CA17 ,  5F038CD02 ,  5F038CD13 ,  5F038EZ09 ,  5F038EZ20 ,  5F064BB35 ,  5F064DD02 ,  5F064DD32 ,  5F064DD44 ,  5F064EE15 ,  5F064EE16 ,  5F064EE17 ,  5F064EE27 ,  5F064EE33 ,  5F064EE34 ,  5F064EE43 ,  5F064EE45 ,  5F064EE52 ,  5F064HH06