半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菊谷公男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-214993
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050418
出願日： 1993年08月06日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：

【要約】【目的】多結晶シリコンを用い、しかも単結晶シリコンと同等の特性をもつMOS型トランジスタを安定に製造する。【構成】絶縁膜2を有するSi基板1の上に非晶質Si膜、絶縁膜4を形成し、チャネル領域17となる領域の絶縁膜4に開口を設ける。開口に絶縁膜6、多結晶Siの狭い間隔のサイドウォール8を形成する。Siイオンを注入して絶縁膜6下の領域の中央部に結晶核を1個だけ形成する。熱処理して非晶質Si膜を多結晶Si膜10に変換する。サイドウォール、絶縁膜6を除去し、ゲート絶縁膜13を形成する。不純物イオン14を注入してソース領域15、ドレイン領域15、チャネル領域17を形成する。チャネル領域の中央部に形成した結晶核を起点として結晶成長させるからチャネル領域に結晶粒界12は形成されず、キャリアの走行が妨げられず、良好な特性が得られる。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面が絶縁体である基板の上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、前記非晶質シリコン膜の上に絶縁膜を形成する工程と、前記非晶質シリコン膜のチャネル領域となる部分の上面に接する前記絶縁膜を選択して開口部を形成する工程と、前記開口部の側面から中央部に向かって厚さが減少しながら拡がりかつ中央部に微小な間隔を形成するように伸びる多結晶シリコンのサイドウォールを形成する工程と、前記絶縁膜およびサイドウォールをマスクとして前記非晶質シリコン膜にシリコンイオンを注入して前記サイドウォールの間隔の直下の前記非晶質シリコン膜に結晶核を形成する工程と、前記シリコン基板を熱処理して前記非晶質シリコン膜を多結晶シリコン膜に変換する工程と、前記サイドウォールを除去する工程と、前記絶縁膜をマスクにして前記多結晶シリコン膜に不純物をイオン注入して、ソース・ドレイン領域を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/266 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 29/78 311 Y , H01L 21/265 M , H01L 21/265 Q

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