特許
J-GLOBAL ID：200903072037472715
半導体絶対圧力センサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-262070
公開番号（公開出願番号）：特開平7-113708
出願日： 1993年10月20日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：
【要約】【目的】センサウェハの裏面のダイシングライン上に溝を設けガラス基板と真空中で陽極接合することで、均一な特性を持った絶対圧力センサを大量にかつ容易に製造できる方法を提供すること。【構成】センサウェハ11には、ダイアフラム12の形成と同時に加工される溝15を設け、ガラス基板21と真空中で陽極接合する。【効果】センサウェハに設けた溝により、陽極接合のセッティングの際、センサウェハとガラス基板が密着しても、溝を通してウェハ全体が均一な真空度となり、容易に大量の絶対圧力センサが得られる。
請求項（抜粋）：
シリコン半導体圧力センサウェハと、支持基板となるガラス基板とを真空中にて接合して構成する半導体絶対圧力センサの製造方法において、前記シリコン半導体圧力センサウェハとガラス基板とを陽極接合法によって接合させる場合、前記センサウェハの接合面側にあって、前記シリコン半導体圧力センサウェハのチップダイシングラインに合わせた位置で、少なくともこのダイシング幅以上の幅、数μmから数十μmの深さを有する溝を設けておき、このセンサウェハの溝を形成した面上に、前記ガラス基板を重ね合わせた状態で、前記陽極接合法を施すようにしたことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
IPC (3件)：
G01L 9/04 101
, G01L 7/00
, H01L 29/84
