特許

J-GLOBAL ID：200903072038481521

モ-ルドトランスおよびその製造方法

発明者： 佐藤 崇 ,  大槻 悦夫
出願人/特許権者： 株式会社トーキン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-018115
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216030
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】 漏洩磁束が抑制された、また量産性に優れたモールドトランスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 磁性材料粉末を含有する樹脂ペーストにて、モールドトランスの基板実装側を除いた部分の全面にわたって100ミクロン以上の厚みのモールド部6が設定されているモールドトランスであり、その磁性材料粉末の材質を、Ni-Zn系フェライト粉末、あるいはFe粉末あるいはMgフェライト系粉末、あるいはMn-Zn系フェライト粉末とする。

請求項（抜粋）：

磁性材料粉末を含有する樹脂ペーストにてモールドしたモールドトランスであって、前記樹脂ペーストは、前記モールドトランスの基板実装側を除いた全面にわたって100ミクロン以上の厚みに塗布されていることを特徴とするモールドトランス。

IPC (3件)：

H01F 27/36 ,  H01F 27/32 ,  H01F 41/12

FI (3件)：

H01F 27/36 B ,  H01F 27/32 A ,  H01F 41/12 B

Fターム (6件)：

5E044AA05 ,  5E044AC01 ,  5E044AD06 ,  5E044DA03 ,  5E044DA08 ,  5E058CC15