P-MOSトランジスタのホットキャリア劣化のシミュレーション方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-195071
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064814
出願日： 1994年08月19日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 P-MOSトランジスタのホットキャリアストレス後のFWDモードとREVモードの両方においてホットキャリア劣化後のトランジスタの種々の特性を高精度でシミュレートし得る方法を提供する。【構成】 P-MOSトランジスタのホットキャリア劣化のシミュレーション方法は、次式(A1),(A2),(A3)および(A4)を用いるか、または式(A2)の代わりに次式(A5)を用い、係数A,n,Bおよびmを予備実験によって定めることによって、トランジスタ寿命τを予測できる。Vth=Vfb+σ・Vd ...(A1)ΔVth=ΔVfb ...(A2)(ΔVfb)f =A・τn ...(A3)τ=B・(Ig/W)-m ...(A4)ΔVth=ΔVfb+Δσ・Vd ...(A5)

請求項（抜粋）：

P-MOSトランジスタのホットキャリア劣化のシミュレーション方法であって、トランジスタのストレス時とトランジスタ特性の測定時との間でソース/ドレイン間の電流の方向を変えないFWDモードにおいて、次式(A1),(A2),(A3)および(A4)を用い、 Vth=Vfb+σ・Vd ...(A1) ΔVth=ΔVfb ...(A2) (ΔVfb)f =A・τn ...(A3) τ=B・(Ig/W)-m ...(A4)ここで、Vthはしきい値電圧、Vdはドレイン電圧、VfbはVd=0Vにおけるしきい値電圧、Igはゲート電流、Wはゲート幅、ΔVthとΔVfbはそれぞれホットキャリア劣化によるVthとVfbの変化量、σはVdによる酸化膜障壁の低下の効果を示す係数を表わし、トランジスタの寿命τは式(A3)のように定義され、(ΔVfb)f はΔVfbの或る特定の値を表わし、係数A,n,Bおよびmは予備測定実験によって定められ、これによってトランジスタ寿命τが予測され得ることを特徴とするシミュレーション方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , G06F 17/00

FI (2件)：

H01L 29/78 301 Z , G06F 15/20 D

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