特許

J-GLOBAL ID：200903072047312090

太陽電池およびその製造方法

発明者： 橋本 泰宏 ,  佐藤 ▲琢▼也 ,  根上 卓之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-296519
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072088
出願日： 2003年08月20日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

【課題】 結晶性が高い光吸収層を備える太陽電池を生産性および信頼性よく製造できる製造方法、および太陽電池を提供する。 【解決手段】 InとGaとIb族元素とVIb族元素とを含む化合物半導体からなる光吸収層を備える太陽電池の製造方法であり、基板11上に形成された第1の電極層12上に、GaとSeとを含みInを実質的に含まない第1の元素群を供給して第1の層13を形成する工程と、第1の層13上にInを含む第2の元素群を供給することによって光吸収層14を形成する工程とを含む。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

InとGaとIb族元素とVIb族元素とを含む化合物半導体からなる光吸収層を備える太陽電池の製造方法であって、 電極層を備えた基板の前記電極層上に、Gaと前記VIb族元素としてSeとを含みInを実質的に含まない第1の元素群を供給して第1の層を形成する第1の工程と、 前記第1の層上に、Inを含む第2の元素群を供給する第2の工程とを含み、 前記第1の元素群と前記第2の元素群の少なくとも一方の元素群が、前記VIb族元素をさらに含み、 前記第1の工程及び前記第2の工程により前記光吸収層が形成されることを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (2件)：

H01L31/04 L ,  H01L31/04 X

Fターム (4件)：

5F051AA10 ,  5F051BA14 ,  5F051CB14 ,  5F051DA20