特許
J-GLOBAL ID:200903072047899474

サセプタ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-202820
公開番号(公開出願番号):特開平6-053139
出願日: 1992年07月30日
公開日(公表日): 1994年02月25日
要約:
【要約】【目的】サセプタにウエハを載置し、ウエハを間接加熱して成膜をするCVD装置において、サセプタ部とウエハ部とのガスローディング効果を均一化させることにより、膜厚の均一性を向上させる。【構成】被成膜対象のウエハ1と同一の表面粗さ及び熱電導度をもつ材料で、ウエハを囲むようにサセプタ2面を被覆するサセプターカバー6を有するサセプタ構造を備える。
請求項(抜粋):
ウエハを載置し高周波誘導加熱により加熱され前記ウエハをプロセス温度に間接加熱するためのSiCコーティングされたカーボンサセプター上に、前記ウエハと同じ表面粗度及び熱電導度を有するサセプタカバーを前記ウエハの載置面のまわりに備えることを特徴とするサセプタ。

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