特許
J-GLOBAL ID:200903072055054033

電界効果トランジスタ型発光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 萩原 誠
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2003001716
公開番号(公開出願番号):WO2003-071608
出願日: 2003年02月18日
公開日(公表日): 2003年08月28日
要約:
課題は、長期信頼性が得られ、発光波長の選択性が広げられる電界効果型発光素子を提供することである。本願発明は、電子注入用電極すなわちソース電極と、正孔注入用電極すなわちドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極の間に、両電極に接触するように配置された発光活性部材と、発光活性部材近傍に、電気絶縁性部材あるいは絶縁用間隙を隔て、電子及び正孔を発光活性部材中で誘起するための電界印加用電極すなわちゲート電極と、を備えた電界効果トランジスタ型発光素子である。前記発光活性部材は、電子輸送性と正孔輸送性とを併せ持った無機半導体材料で形成されている。
請求項(抜粋):
電子注入用電極すなわちソース電極と、 正孔注入用電極すなわちドレイン電極と、 前記ソース電極及びドレイン電極の間に、両電極に接触するように配置された発光活性部材と、 前記発光部材近傍に、電気絶縁部材あるいは絶縁用間隙を隔て、電子及び正孔を該発光活性部材中で誘起するための電界印加用電極すなわちゲート電極と、 を備えた電界効果トランジスタ型発光素子であって、 前記発光部材は、電子輸送性と正孔輸送性とを併せ持った無機半導体材料で形成されている、ことを特徴とする電界効果トランジスタ型発光素子。
IPC (1件):
H01L33/00
FI (1件):
H01L33/00 A

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