特許
J-GLOBAL ID：200903072055655673
半導体装置の微細パターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-283356
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129604
出願日： 1995年10月31日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】既存の露光装置でも十分な解像度を得ることができ、コストもあまり増大させることなく微細なパターンを形成することができる半導体装置の微細パターン形成方法を提供する。【解決手段】次の工程を特徴とする微細パターンの形成方法。?@基板(Si基板11)上に第1のレジストパターン15を形成する工程(図1(c))。?Aこの第1のレジストパターン15をマスクにして下地膜(SiO2 膜12)を途中までエッチングする工程(図1(e))。?Bこの第1のレジストパターン15を残した状態の前記基板(Si基板11)上に第2のレジストパターン18を形成する工程(図1(h))。?C前記第1のレジストパターン15と前記第2のレジストパターン18が合成されたレジストパタ-ンをマスクにして前記下地膜(SiO2 膜12)をさらにエッチングする工程(図1(i))。
請求項（抜粋）：
基板上に第1のレジストパターンを形成し、この第1のレジストパターンをマスクにして下地膜を途中までエッチングし、この第1のレジストパターンを残した状態の前記基板上に第2のレジストパターンを形成し、前記第1のレジストパターンと前記第2のレジストパターンが合成されたレジストパタ-ンをマスクにして前記下地膜をさらにエッチングすることを特徴とする半導体装置の微細パターンの形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, G03F 7/26 511
, H01L 21/28
, H01L 21/027
H01L 21/302 J
, G03F 7/26 511
, H01L 21/28
, H01L 21/30 573
