レーザーダイオード

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島淳 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-320898
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202329
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】より広い波長範囲で動作可能なデュアル偏光レーザダイオードを提供する。【構成】特定なひずみが与えられたIII-V 族四元合金のQWを活性層とし、キャビティ内の一部に光学的損失または非ポンピング領域を制御可能に意図的に導入することにより、広い波長範囲で動作可能なデュアル偏光レーザダイオードが提供される。

請求項（抜粋）：

レーザーダイオードであって、(a)第1の格子定数及び第1のバンドギャップを有するIII-V族合金の結晶性基板と、(b)前記基板の上に被覆される結晶性活性層であって、前記活性層は、該活性層が前記第1の格子定数より小さな第2の格子定数と、ひずみのない時に第2のバンドギャップとを有するように、III-V族四元合金から成り、前記活性層は、前記基板の上に被覆される時に、ひずみが与えらた場合に第2のバンドギャップより小さな第3のバンドギャップを有するように伸張ひずみが与えられる、結晶性活性層と、(c)活性層に電流を流し、それによって前記活性層に600nmを越える波長でTM偏光レーザー放射を引き起こすための電極と、を含むレーザーダイオード。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平4-049690
半導体光集積素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-042831 出願人：株式会社日立製作所

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