特許

J-GLOBAL ID：200903072059370436

半導体装置の製造方法

発明者： 江尻 洋一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-147366
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335592
出願日： 1997年06月05日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 寄生容量が少なく、高周波特性に優れたインダクター等を少ない工程数で形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 導電体17の上面及び下面が絶縁膜11、19に接しており、該導電体17の相互間を中空とする半導体装置の製造方法であって、該中空とする部分にアモルファスカーボンを形成する工程と、該アモルファスカーボンの上に通気性のある絶縁膜19を形成する工程と、該アモルファスカーボンを酸素雰囲気中で熱処理を行うことにより、該アモルファスカーボンを除去する工程と、を具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

導電体の上面及び下面が絶縁膜に接しており、該導電体の相互間を中空とする半導体装置の製造方法であって、該中空とする部分にアモルファスカーボンを形成する工程と、該アモルファスカーボンの上に通気性のある絶縁膜を形成する工程と、該アモルファスカーボンを酸素雰囲気中で熱処理を行うことにより、該アモルファスカーボンを除去する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 27/04 L ,  H01L 21/90 N