特許

J-GLOBAL ID：200903072059679453

半導体装置およびその製造方法

発明者： 梶山 正興
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-058232
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258241
出願日： 2002年03月05日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】 高誘電体ゲート絶縁膜の耐圧不良や信頼性劣化を抑制し、かつ高い比誘電率の低下を防止した半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 ゲート電極を形成した後にその側壁に誘電体膜からなる第1のサイドウォールが形成されるので、高誘電体ゲート絶縁膜の膜減りや損傷による耐圧不良や信頼性劣化を抑制できる。さらに、第1のサイドウォールを覆うように耐酸化性膜からなる第2のサイドウォールが形成されるので、後の工程でSi界面に極薄のSiO2膜が形成されることはない。すなわち、高誘電体ゲート絶縁膜の高い比誘電率の低下を防止することができる。

請求項（抜粋）：

MOSFETとして機能する半導体装置において、半導体基板上に形成された高誘電体膜からなるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された導電性膜からなるゲート電極と、前記ゲート電極の側壁に形成された誘電体膜からなる第1のサイドウォールと、前記第1のサイドウォールを覆うように形成された耐酸化性膜からなる第2のサイドウォールとを備えたことを特徴とする半導体装置。

Fターム (30件)：

5F140AA06 ,  5F140AA25 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF03 ,  5F140BF04 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF27 ,  5F140BG09 ,  5F140BG11 ,  5F140BG12 ,  5F140BG13 ,  5F140BG14 ,  5F140BG22 ,  5F140BG38 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK09 ,  5F140BK13