特許

J-GLOBAL ID：200903072061961654

リンを含む酸化チタン膜の形成方法並びに太陽電池の製造方法および製造装置

発明者： 横沢 雄二 ,  森内 荘太 ,  布居 徹 ,  中弥 浩明
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-174964
公開番号（公開出願番号）：特開平8-085874
出願日： 1995年07月11日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【課題】 工程数が少なく簡単なプロセスで作製でき、しかも高い短絡電流を得ることができる太陽電池の製造方法を提供する。また、それに好適なリンを含む酸化チタン膜の形成方法を提供する。【解決手段】 p型シリコン結晶基板1の表面1aに、凹凸22a,22bを形成する。所定温度に加熱された基板1の表面1aに、チタン化合物とリン化合物とをガス状態で供給して、上記チタン化合物とリン化合物との反応物からなるリンを含む酸化チタン膜2を形成する。基板1を所定の温度で熱処理して、膜2からリンを拡散してpn接合を形成するとともに、膜2からなる反射防止膜を形成する、基板1の裏面1b側に裏面電極4を形成する一方、基板1の表面1a側に受光面電極6を形成する。

請求項（抜粋）：

所定温度に加熱された基板の表面に、チタン化合物とリン化合物とをガス状態で供給して、上記基板の表面に、上記チタン化合物とリン化合物との反応物からなるリンを含む酸化チタン膜を形成するようにしたことを特徴とするリンを含む酸化チタン膜の形成方法。

IPC (5件)：

C23C 16/40 ,  C01G 23/00 ,  C01G 23/04 ,  H01L 31/04 ,  C30B 29/06

FI (2件)：

H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 F

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭54-076629