特許
J-GLOBAL ID：200903072062043420
半導体装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
松山 允之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-281363
公開番号（公開出願番号）：特開2003-092414
出願日： 2001年09月17日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：
【要約】【課題】 高耐圧を維持しつつ、寄生トランジスタの動作を抑制した横型ダイオードを提供することを目的とする。【解決手段】 半導体層(19)の表面に選択的に設けられた第1導電型のカソード領域(23)と第2導電型のアノード領域(21)と、前記カソード領域の中央付近を除いてその周縁部に重なるように設けられた第1導電型のリサーフ領域(25)と、を備え、前記カソード領域の下には、第2導電型の半導体領域(19)が設けられ、さらにその下には第1導電型の埋め込み層(13)が設けられた横型ダイオードとすることにより、カソード領域の直下において生じうる寄生トランジスタ動作を効果的に抑制することが可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体層の表面に第1導電型の第1の半導体領域と第2導電型の第2の半導体領域とが互いに近接して選択的に設けられ、前記第1及び第2の半導体領域の一方がカソード領域、他方がアノード領域となるダイオード構造を備え、前記第1の半導体領域の下には、第2導電型の半導体層を介して第1導電型の埋め込み層が設けられるとともに、前記第1の半導体領域の中央付近を除いてその周縁部に重なるように第1導電型のリサーフ領域が設けられたことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
前のページに戻る
